1次元性の強い電荷密度波物質であるNbSe3を機械的に剥離して薄膜デバイスを作製したところ、電荷密度波転移に伴う抵抗の増大を、これまでの薄膜研究と比べて、明瞭に観測することに成功しました。この結果は、NbSe2薄膜の場合と同様に、表面弾性波照射によって電荷密度波が変調されることを示唆しています。Japanese Journal of Applied Physics 60, 070904 (2021).