ファンデルワールス強磁性体Fe5GeTe2デバイスの磁気転移温度近傍で、10%を超えるバタフライ型の磁気抵抗を観測しました。この磁気抵抗は薄膜にするほど、さらに急冷した試料で顕著に現れました。本研究は、沖縄科学技術大学院大学の岡田佳憲准教授のグループとの共同研究です。AIP Advances 11, 025014 (2021).