原子層超伝導体NbSe2に、表面弾性波と呼ばれる高周波電場の波を照射すると、負の抵抗が観測されました。この負の抵抗は、ゼロ電流の付近で実現し、抵抗の値自体も負になる現象で、半導体で実現する有限バイアス下の負性抵抗と異なる新現象です(プレスリリース)。宇宙地球科学専攻の青山和司助教、東京大学の福山寛名誉教授との共同研究です。Science Advances 6, eaba1377 (2020).